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半導体ネットおかやま 2012年第4回例会のご案内 12月7日開催 【終了】

【終了】 - ありがとうございました。
各 位

                        半導体ネットおかやま
                        代表  財部 健一
平素は大変お世話になっております.
早速ではありますが,「半導体ネットおかやま」次回例会の案内を差し上げます.
今回は,新半導体材料・デバイスに関します新しい展開を
中心に次世代の半導体業界が伺えるプログラムとなっています.
年末のお忙しい時期かと存じますが,ふるってご参加下さい.

半導体ネットおかやま 2012年第4回例会
共催:「おかやま電池関連技術研究会」第4回技術セミナー

日時:2012年12月7日(金) 13:30-17:00
場所:岡山大学工学部1号館第2講義室
13:30-13:40 開会挨拶 岡山大学 紀和利彦 副代表

13:40-14:30 中国経産局 稲原宏昭氏
「パワー半導体に関する最近の経済産業省の動き」
 SiCを中心とするパワー半導体に関する経済産業省の取組みを紹介す
 るとともに、研究開発支援策のポイント等を解説します.

14:30-15:20 パウデック(株)河合弘治氏
「GaN パワー半導体素子技術の現状と高耐圧化新技術」
 GaN半導体の高耐圧パワー電子素子開発が大詰めを迎え、
 一部実用化されつつあると言われています.GaN半導体
 素子化技術の現状と産業化のトレンドを概観します.
 GaNの物性値から期待される性能はSiC(シリコンカーバイド)
 よりも高い筈ですが、GaNパワー半導体素子は数100V領域
 の民生や情報処理系電源用として採用されると見倣されています.
 GaNパワー素子の高性能・高耐圧化を阻んでいる現状の技術的
 困難さがどこにあるのか、考察を行います.次に、現状技術
 の代替として、弊社が提案していますAlGaN/GaN分極超接合
 (Polarization super-junction, PSJ)の原理と
 トランジスタ構造への実装、および予備的な結果について報告を行い、
 ご議論させて頂きます.

15:20-15:35  休憩

15:35-16:15 岡山大学 藤森和博氏
「未定」
 (プログラム編集者注:)マイクロ波に関する通信技術・電力伝送技
 術など先端的なご研究をされています.

16:15-16:55 中小基盤整備機構 岡大インキュベータ 鈴木幸次氏
「岡山大インキュベータにおける産学官連携の取組み」
 20年10月にオープンした岡山大インキュベータは「新しいビジネスの
 創出・成長・発展を支援する地域の拠点となる」を目標に掲げ、様々な取
 組みをおこなってきました.特に、
  1)地元企業と大学研究者とのマッチング、
  2)地域の優れた研究開発テーマの発掘、
  3)研究開発助成金の獲得支援、
 に力を入れています.

16:55-17:00 閉会と企業説明会の案内 岡山理科大学 財部建一代表

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【参加申込み】
下記申込先に、以下の内容をメールまたはFAXでご連絡ください.
・件名:半導体 ネットおかやま
・例会  参加、 不参加(どちらかを削除してください)
・懇親会 参加、 不参加(どちらかを削除してください)
・所属
・お名前
・連絡先(メール アドレスまたは電話番号)
(申込先)
岡山大学(担当 校)
担当:紀和利彦(岡山大学大学院自然科学研究科) 
  〒703-8201 岡山県岡山市北区津島中3-1-1
 E-mail:kiwa at okayama-u.ac.jp   ※atは、@にしてください。
 FAX:086-251-8130
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2012年11月20日

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